DF200R12W1H3_B27. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module

(1)

J

V

CES

= 1200V

I

C nom

= 30A / I

CRM

= 60A

TypischeAnwendungen TypicalApplications

• SolarAnwendungen • SolarApplications

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures

• NiedrigeSchaltverluste • LowSwitchingLosses

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures

• Al

2

O

3

Substrat mit kleinem thermischen •

Widerstand Al

2

O

3

SubstratewithLowThermalResistance

• IntegrierterNTCTemperaturSensor • IntegratedNTCtemperaturesensor

• KompaktesDesign • Compactdesign

• PressFITVerbindungstechnik • PressFITContactTechnology

ModuleLabelCode

BarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode Digit

ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23

(2)

VerpolschutzDiodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip

MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 50 A

GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom

MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A

StoßstromGrenzwert

Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C

tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 360

290 AA

Grenzlastintegral

I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C

tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 650

420 A²sA²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

^min. ^typ. ^max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A VF 0,95 V

Ersatzwiderstand

Sloperesistance Tvj = 150°C rT 0,10 mΩ

Sperrstrom

Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,80 0,90 K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode

λ^Paste=1W/(m·K)/λ^grease=1W/(m·K) RthCH 0,80 K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C

(3)

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V

ImplementierterKollektor-Strom

Implementedcollectorcurrent ICN 100 A

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C

IC nom

IC 30

50 A

A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 375 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,30 1,35 1,35

1,45 V V V Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V Gateladung

Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,80 µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω

Eingangskapazität

Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nF Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V

RGon = 4,7 Ω

td on 0,03

0,03 0,03

µs µs µs Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V

RGon = 4,7 Ω

tr 0,01

0,01 0,01

Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V

RGoff = 4,7 Ω

td off 0,30

0,40 0,44

Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V

RGoff = 4,7 Ω

tf 0,014

0,03 0,035

Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH

VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C)

RGon = 4,7 Ω Eon

0,80 1,65 1,90

mJ mJ mJ Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH

VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 150°C)

RGoff = 4,7 Ω Eoff

1,30 2,00 2,40

Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten

SCdata VGE≤ 15 V, VCC = 800 V

VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C ISC 360 A

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,35 0,40 K/W

(4)

Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT

Diode-Chopper/Diode-Chopper

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent IF 30 A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 30 A

Grenzlastintegral

I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1050

985 A²sA²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V

VF

1,70 1,40 1,30

2,05 V V V Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)

VR = 600 V IRM

60,0 90,0 100

A A A Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 150°C Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)

VR = 600 V Qr

2,50 6,00 7,00

µC µC µC Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)

VR = 600 V Erec

1,25 3,20 3,80

Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,50 0,60 K/W

Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min. typ. max.

Nennwiderstand

Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ

AbweichungvonR100

DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

Verlustleistung

Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW

B-Wert

B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K

B-Wert

AngabengemäßgültigerApplicationNote.

Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

(5)

Isolations-Prüfspannung

Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV

InnereIsolation

Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)

basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3

Kriechstrecke

Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5

6,3 mm

Luftstrecke

Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0

5,0 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung

Comperativetrackingindex CTI > 200

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayinductancemodule LsCE 30 nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip

Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 5,00 mΩ HöchstzulässigeSperrschichttemperatur

Maximumjunctiontemperature Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper

Gleichrichter/rectifier Tvj max 175

150

°C

°C TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper

Gleichrichter/rectifier Tvj op -40

-40

150 125

°C

°C Lagertemperatur

Storagetemperature Tstg -40 125 °C

Gewicht

Weight G 24 g

(6)

DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeA(typisch) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA (typical)

IF=f(VF)

VF [V]

IF [A]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4

0 10 20 30 40 50 60

Tvj = 25°C Tvj = 150°C

AusgangskennlinieIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE)

VGE=15V

VCE [V]

IC [A]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 0

10 20 30 40 50 60

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

AusgangskennlinienfeldIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE)

Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0

0 10 20 30 40 50 60

VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VGE)

VCE=20V

VGE [V]

IC [A]

5 6 7 8 9 10

0 10 20 30 40 50 60

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

(7)

switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)

VGE=±15V,RGon=4.7Ω,RGoff=4.7Ω,VCE=600V

IC [V]

E [mJ]

0 10 20 30 40 50 60

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5

Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG)

VGE=±15V,IC=30A,VCE=600V

RG [Ω]

E [mJ]

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50

0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0

Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT-Chopper

transientthermalimpedanceIGBT-Chopper

ZthJH=f(t)

t [s]

ZthJH [K/W]

0,001 0,01 0,1 1 10

0,01 0,1 1 10

ZthJH : IGBT

i:

ri[K/W]:

τi[s]:

1 0,02368 0,0005

2 0,04588 0,005

3 0,23088 0,05

4 0,40182 0,2

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA) IC=f(VCE)

VGE=±15V,RGoff=4.7Ω,Tvj=150°C

t [s]

IC [A]

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

0 10 20 30 40 50 60 70

IC, Modul IC, Chip

(8)

DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical) IF=f(VF)

VF [V]

IF [A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5

0 10 20 30 40 50 60

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(IF)

RGon=4.7Ω,VCE=600V

IF [A]

E [mJ]

0 10 20 30 40 50 60

0,00 1,00 2,00 3,00 4,00 5,00 6,00 7,00

Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C

SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(RG)

IF=30A,VCE=600V

RG [Ω]

E [mJ]

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45

0,00 1,00 2,00 3,00 4,00 5,00

Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper

transientthermalimpedanceDiode-Chopper

ZthJH=f(t)

t [s]

ZthJH [K/W]

0,001 0,01 0,1 1 10

0,01 0,1 1 10

ZthJH : Diode

i:

ri[K/W]:

τi[s]:

1 0,042 0,0005

2 0,093 0,005 3 0,387 0,05

4 0,528 0,2

(9)

NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T)

TC [°C]

R[Ω]

0 20 40 60 80 100 120 140 160

100 1000 10000 100000

Rtyp

(10)

Schaltplan/circuit_diagram_headline

J

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

Infineon

(11)

Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle

-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;

-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;

-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.

InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

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