HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 600 V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 335 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min. typ. max.Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,45 1,60 1,70
1,90 V V V Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V Gateladung
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,00 µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 2,0 Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,20 nF Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,19 nF Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V
RGon = 24 Ω
td on 0,10 0,10 0,10
µs
µs µs Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V
RGon = 24 Ω
tr 0,06
0,065 0,07
µs
µs µs Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V
RGoff = 24 Ω
td off 0,60
0,65 0,70
µs
µs µs Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V
RGoff = 24 Ω
tf 0,07
0,10 0,12
µs
µs µs Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse IC = 100 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C)
RGon = 24 Ω Eon 4,85
5,70 6,00
mJ
mJ mJ Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse IC = 100 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (Tvj = 150°C)
RGoff = 24 Ω Eoff 3,70
4,40 4,60
mJ
mJ mJ Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten
SCdata VGE≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 700
500 A
A Tvj = 25°C
Tvj = 150°C tP≤ 8 µs,
tP≤ 6 µs, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,45 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,14 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 600 V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent IF 100 A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 200 A
Grenzlastintegral
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1100
990 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min. typ. max.Durchlassspannung
Forwardvoltage IF = 100 A, VGE = 0 V IF = 100 A, VGE = 0 V IF = 100 A, VGE = 0 V
VF
1,55 1,50 1,45
1,95 V V V Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent IF = 100 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V
VGE = -15 V
IRM 50,0
60,0 65,0
A
A A Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge IF = 100 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V
VGE = -15 V
Qr 3,00
6,30 7,50
µC
µC µC Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy IF = 100 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V
VGE = -15 V
Erec 0,50 1,05 1,30
mJ
mJ mJ Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,80 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,25 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 100 A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 100 A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 740
580 A
A Grenzlastintegral
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 2750
1700 A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min. typ. max.Durchlassspannung
Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 100 A VF 1,10 V
Sperrstrom
Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,50 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,155 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 600 V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 50 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 190 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min. typ. max.Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,45 1,60 1,70
1,90 V V V Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V Gateladung
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V
RGon = 43 Ω
td on 0,10 0,10 0,10
µs
µs µs Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V
RGon = 43 Ω
tr 0,06
0,065 0,07
µs
µs µs Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V
RGoff = 43 Ω
td off 0,60
0,65 0,70
µs
µs µs Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V
RGoff = 43 Ω
tf 0,04
0,05 0,06
µs
µs µs Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V
RGon = 43 Ω Eon 2,30
2,75 2,90
mJ
mJ mJ Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V
RGoff = 43 Ω Eoff 1,75
2,10 2,15
mJ
mJ mJ Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten
SCdata VGE≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 350
250 A
A Tvj = 25°C
Tvj = 150°C tP≤ 8 µs,
tP≤ 6 µs, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,80 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,25 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 600 V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent IF 30 A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 60 A
Grenzlastintegral
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 90,0
82,0 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min. typ. max.Durchlassspannung
Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V
VF
1,60 1,55 1,50
2,00 V V V Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V IRM 22,0
24,0 27,0
A
A A Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V Qr 1,15
2,30 2,70
µC
µC µC Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V Erec 0,12
0,30 0,36
mJ
mJ mJ Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,80 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,56 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min. typ. max.Nennwiderstand
Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100
DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
Verlustleistung
Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate Cu
InnereIsolation
Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm
Luftstrecke
Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex CTI > 225
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proModul/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,009 K/W
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule LsCE 60 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
ChipModuleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'
RAA'+CC' 4,00
2,00 mΩ
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Gleichrichter/rectifier Tvj max 175
150
°C
°C TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Gleichrichter/rectifier Tvj op -40
-40 150
150
°C
°C Lagertemperatur
Storagetemperature Tstg -40 125 °C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Gewicht
Weight G 300 g
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE)
Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) VCE=20V
VGE [V]
IC [A]
5 6 7 8 9 10 11 12
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=24Ω,RGoff=24Ω,VCE=300V
IC [A]
E [mJ]
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V
RG [Ω]
E [mJ]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01 0,1 1
ZthJC : IGBT
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1 0,027 0,01
2 0,1485 0,02
3 0,144 0,05
4 0,1305 0,1
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF)
RGon=24Ω,VCE=300V
IF [A]
E [mJ]
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C
switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG)
IF=100A,VCE=300V
RG [Ω]
E [mJ]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 0,0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C
transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01 0,1 1
ZthJC : Diode
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1 0,048 0,01
2 0,264 0,02
3 0,256 0,05
4 0,232 0,1
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Tvj = 25°C Tvj = 150°C
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 0
6 12 18 24 30 36 42 48 54 60
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T)
TC [°C]
R[Ω]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100 1000 10000 100000
Rtyp
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
