halfgeleiderdioden
Inditartikelwordtaandachtbesteedaanhetschakelgedragvanhalfgeleiderdioden.
Alhoewelmenhetinhetalgemeenweleensisoverdeaardvanhetverschijnsel,lopen de wijzen waarop deverschillendefabrikantenhetimpuls-schakelgedragvanhun diodenmetenenspecificerennogalwatuiteen.Elkgespecificeerd impulsschakelge-drag, hetzijin voorwaartsofin tegenwaartsrichting, waarbijgeenbeschrijvingvan degebruiktemeetschakelingwordtverstrekt, isinfeitewaardeloos. Hetmetenvan schakeltijdenvannanosecondenvergtdanookverfijndetechniekenomervantezijn verzekerd,datdewareaardvandediode-schakeltijdnietdoorandereindemeetscha
kelingoptredendeimpulsverschijnselen wordtvertekend.Inditartikelwordthetge
drag geanalyseerd van dioden in zowel voor-als tegenwaartsrichting.
Dehierbijoptredende sprongverschijn-selen worden in het kortgeanalyseerd en de factoren diedeamplitudeende duur van elk sprongverschijnsel beïn
vloedenworden verklaard.
constantestabiele waarde. Bijmiddel
grotestromenkanhetsprongverschijn
sel oscillerende verschijnselen verto
nen. Infig. 1 zijnenkeletypische span-ninggolfvormen geschetst. Bij het me
tenvandergelijkespanninggolfvormen dient men zeer zorgvuldig te werk te gaandaarzelfskleineparasitaire zelfin-ductiesin de meetschakelinginhetge
valvaneenscherpestroomimpulsaleen hoge spanningspiek totgevolgkunnen hebben. Uit metingen isgebleken,dat amplitude enduurvande voorwaarts-spanningsprong aanzienlijk kunnen worden verkleind door, alvorens de stroomimpulsdoorde diode testuren, een geringe voorinstelstroom in voor-waartsrichtingdoordediodetesturen.
Omeenoptimaalfunctionerenvaneen diode mogelijk te maken dienen de aansluitingen metderestvan de scha
kelingzo kort mogelijk te worden ge
houden.
tespanningoverdediode valt. Ditwil zeggen dat de impedantie in voor-waartsrichting betrekkelijk laag is. In de voorwaartsrichting (fig. 3) zal de
w
Voorwaarts-spanningsprong
Wanneer een diode vanuit een nul-toestand naar voorwaartsgeleiding wordt geschakeld, treedt een sprong
verschijnselopdatechteropgrondvan degewoonlijkkorteduur,bijdemeeste diodenaanzienlijkkorterdande tegen-waarts-hersteltijd, weinig aandacht krijgt.Metdeontwikkelingvannanose
conde schakeldiodenisdit verschijnsel echter steeds belangrijker geworden omdatdevoorwaarts-hersteltijdvanzes tottienns indit gevallangerisdande tegenwaarts-hersteltijd in de snelste diodenvoorcomputertoepassing.
In feite bestaat de voorwaarts-span-ningsprong uit twee componenten,de junctie-spanningsprong en de diode-weerstandsprong. De junctie-span
ningsprongbezitde eigenschapomtoe te nemenmetde tijd. Deohmseweer
stand daarentegen vertoontde neiging om metde tijdafte nemen.Hettotale sprongverschijnsel is een combinatie van deze beide. In het geval van zeer grotevoorwaartsstromenoverheerstde daling vandeohmse weerstand. Deze gedraagtzichingrotelijnenalseen RL-netwerk waarbij de spanningover de diode snel tot een hoge piekwaarde aangroeit om daarna geleidelijk af te nemen tot de normale voorwaarts-spanningsval overdediode.
Bij kleine stroomimpulsen overheerst de junctie-spanningsprongengedraagt de diode zich als een RC-netwerk waaroverdespanningaangroeittoteen
Ij \Ri
Fig.3.Diodein voorwaartsrichting.
stroomduswordenbepaalddoorde se-rieweerstandRL. Uitfig.2blijktverder dat de tegenwaartsimpedantie van de diodezeer hoogis. Deze toestand van hoge impedantietreedt echterniet on-middellijk nadat de diode in tegen
waartsrichtingwordtgeschakeldop. In fig. 4 is hetdoorsnee-verloopvan het daarbij optredende herstel geschetst.
Tweefactorenzijndeoorzaakvandeze vertragingin hetoptredenvandehoge tegenwaarts impedantie, nl. de opslag van minderheids ladingsdragers en de junctiecapaciteit. In eerste benadering kanhierbijhetvlakkelineairegedeelte worden beschouwd,datisveroorzaakt doordeopslagvan minderheidsladings-dragers. Hetgeleidelijkafnemendege
deelte wordt veroorzaakt door de junctie-capaciteit. Schakelt men de junctieinvoorwaartsconditiedanwordt aan weerszijden van de junctie een overmaat aan minderheidsladingsdra-gers opgebouwd. In de meestedioden isofdeP-laagofdeN-laagzwaarderge
doteerd dandeanderendienovereen
komstigzullen de minderheidsladings-dragers uit gaten of uit elektronen bestaan.Bijdehiergevoerdebeschou
wingwordtaangenomen datde P-laag zwaarder gedoteerd is dande N-laag;
derhalve zal de overmaat aan minder-heidsladingsdragers uit gaten bestaan.
Tegenwaarts-spanningsprong
Desprongverschijnselendiegewoonlijk de'meeste belangstelling hebben, zijn die,welkeoptredenwanneereendiode vanuitvoorwaartsgeleidingnaar tegen-waartsgeleiding wordt geschakeld. Uit debekendeV/I-krommenvaneen
half-t
Fig.2. V/Ikrommevaneen
halfgeleiderdio-de.
geleiderdiode (fig. 2) blijkt, dat in de voorwaartsrichtingeenvrijwel
constan-Fig. 1. Optre
dende span-
ningsgolfvor-'r
men.Vf Vf
Ir a)hogevoorwaarts■
stroom b)middelgrote
stromen
c)lage^
voorwaarts-room Fig.4. Optredendegolfvormenbijfig.3.
RADIOELECTRONICA1974No.23 785
•Pn nsec
Fig. 5. Concentratie van ladingsdragers.
I
berekend
I ï—---IFr50mAexperimenteel
l lps10mAexperimenteel
I 6--- Ir*5mAexperimenteel
owmulun
dichtheid berekening
trr*5x10-9xtn'~
•Pn
«-*■—* 13SX25Z !
Fig. 7. HersteltijdalsfunctievandeIF/IR-verhouding.■
DeconcentratievangatenindeN-laag in de onmiddellijke nabijheid van de junctiekanworden beschrevenmet:
P.-o =P„.e^KT
Uitde definitie voorde overmaataan concentratievolgt nudat:
“ ^x=0
De overmaat aan concentratie is der
halveeenfunctievandespanningover dejunctievandediode.Bij voorwaarts-voorinstelling geldt dat eqV/KT veel groter is dan ,,1” omdat q/KTbij ka
mertemperatuurongeveergelijkisaan 40.Neemtnudespanningoverdediode tot nul af,danwordtdeovermaataan ladingsdragers van de junctie wegge
drukt. (fig.5).
Theoretisch houdt in dit diagram de opslagvertragingvangatenop hettijd
stipAop.Detijdsduurhiervanisonge
veergelijk aandievanhet vlakkedeel van destroom-hersteltijd. Opditpunt zou,alsergeenjunctie-capaciteitaan
wezigwas,destroomvrijwelonmiddel
lijkafnemen toteenwaardegelijk aan die van de tegenwaarts (lek-)stroom.
Dejunctie-capaciteitwerkteenderge
lijkeplotselingeveranderingechter te
gen.
tijdconstante van de tegenspanning over de diode en daarmee de afname vandetegenwaartsstroomtotdewaar
devan deverzadigingsstroom Is.
Additionelefactoren diede hersteltijd beïnvloeden
Meerderefactorenbeïnvloedendeam
plitude en duur van de totale tegen-waarts-hersteltijd. De amplitude van het sprongverschijnsel wordt in eerste instantie bepaald door de schakeling waarin de diode wordt toegepast.
Doorgaans wordt deze amplitude be
paald doorde tegenspanning, gedeeld doordebegrenzingsweerstand:
Er/Rl.
Deinitiëletegenwaarts-impedantievan eendiodemoethierbij teverwaarlozen klein zijn t.o.v. RL. Deduurvan een impulshangtsamenmetde voorwaarts-stroom (amplitude en tijdsduur), de tegenwaartsstroom, de junctie-capaci
teiten deserieweerstand RL. Deduur vanhetsprongverschijnselisvoortsook nogtemperatuurafhankelijk.
junctie en met een diëlektrische con
stantegelijk aan dievanhet halfgelei-dermateriaal.Verlaagt men deaange
legde spanning, dan breidt de uitput-tingslaag zich uit. Fysisch komt dit overeen methetuitelkaartrekkenvan decondensatorplaten.
Aangetoond kanworden, dat hetver
bandtussendejunctie-capaciteitende junctie-spanning niet-lineair is. De junctie-capaciteit neemt toe met de voorwaartsspanning en neemt afmet toenemendetegenspanning.Decapaci
teitwordtomschrevendoor:
-Po=Pn(eqV/KT—1) Povermaat
C= K
(-V -w»
waarin:
K =eenconstante,afhankelijkvande doteringvande diode
V =deaangelegdespanning if/Q= het ingebouwde potentiaalver
schil
n = een door de dotering bepaalde, constante
Doorgaansisngelijkaan1/2of1/3,af
hankelijk van het type junctie. Voor een gediffundeerde junctie is n door
gaansgelijk aan 1/3terwijleenabrupt verlopende junctie een waarde gelijk aan 1/2 heeft. In fig. 6 is de junctie-capaciteit als functie van de spanning uigezet. Zoals hiervoor reeds werd uiteengezet vindt het geleidelijk afne
mendegedeelte vandeherstelfazezijn oorzaakindezejunctie-capaciteit.De
zecapaciteitbepaaltmetdeserieweer
stand van de schakeling de effectieve
Benaderingvandehersteltijd
Ineersteinstantiekanmendeverhou
ding van de voorwaartsstroom tot de tegenwaartsstroom - IF/IR -alsmaat
stafvoordehersteltijdhanteren.Infig.
7 is detegenwaarts-hersteltijd uitgezet tegen de IF/IR-verhouding voor ver
schillende voorwaartsstromen. Hieruit blijkt datde tegenwaarts-hersteltijdbij gelijkblijvende waardevoorIF/IRrela
tief constant is. Een grotere voor
waartsstroomgeeftbij eenzelfdewaar
de voor IF/IR een ietslangere herstel
tijd.Voordehersteltijdkunnentalvan wiskundige vergelijkingen worden af
geleid die allemaal één ding gemeen
schappelijk hebben; ze bevatten een aantal onbekenden die niet zonder meer te geven zijn. Metingen hebben aangetoond dat de volgende vergelij-Junctie-capaciteit
Een spanning, aangelegd over de junctie van twee halfgeleidermateria-len,gaataltijdgepaard metde aanwe
zigheid van een ruimtelading aan weerszijdenvandejunctie.Wordtdeze spanningindevoorwaartsrichtingver
hoogd,danneemtdeuitputtingslaagaf.
Aan de N-zijde hopenzichelektronen op, aandeP-zijdegaten.Kleinespan
ningsveranderingen hebben zodanige ladingsveranderingentotgevolgdatde werkingvanhetgeheeJdoetdenkenaan eencondensatormeteendiametertus
sen de platen gelijk aan die van de
-V •V
Fig. 6. Junctie-capaciteitalsfunctie vande junctiespanning.
786 RADIOELECTRONICA1974No.23
middelsnelledioden langzamedioden snelledioden
king over een tamelijk breed gebied vaakgeschikteresultatenvoorhetont
werpvan schakelingenzalopleveren:
Ir Ir
Fig. UI. Ver
schillendeher
steltijden(h).
I I
trr = K. In I
Ir I
junctie | n
Vooreenbepaaldediode kandewaar
devan K wordenbepaald uit:
trr
I
Ik voorspellen vande tegenwaartsherstel-tijd is, datmendeindediode opgesla-gen lading bepaalt. Deopgeslagen la
dingmoetgelijkzijnaandeafgevoerde lading. Bij voorwaartsgeleidingvande diodewordteenbepaalde hoeveelheid ladingopgeslagen,schakeltmendedio
de nu plotselingintegenwaartsrichting danwordterladingafgevoerd.Dehoe
veelheidafgevoerdeladingwordtgege
vendoor:
K
=-{Hr}
ln impulsgenerator oscilloscoop
&
Dewaardevantrrisdegespecificeerde hersteltijd. In technische publicaties wordtdevoorde hersteltijdgehanteer
de meetmethode gewoonlijkomschre
ven.Hieruitishetdanmogelijkdever
houding IF/IR te bepalen dievoor het meten van de gespecificeerde herstel
tijdwerd gebruikt. Isde waardevan K eenmaalbepaald dankunnendewaar
den van voorwaartssiroom (IF) en te-genwaartsstroom (IK) zoals dieineen bepaalde schakeling optreden, ter be
palingvandehersteltijdindevoorgaan
de vergelijkingwordengesubstitueerd.
Hierbij dientmen te bedenkendatbo
venstaande vergelijking in geen enkel opzicht theoretisch isgefundeerd. Wel vormt deze methode een eenvoudig hulpmiddelom vooreengegevenscha
kelingtoteeneerstebenaderingvande teverwachtenhersteltijdtekomen. De hersteltijd hangt van verschillende an
dere factoren af en deze werkwijze is dan ook slechts eengrove benadering om de diode-schakeltijd te bepalen.
Voor tegenwaartsstromen kleiner dan 5 mA zijn de uitkomsten van deze vergelijkingwataandehogekant.Voor voorwaartsstromen groter dan 16 mA zullende berekendeuitkomsten ietste laagzijn. In de meeste gevallenechter kan een nauwkeurigheid van + 25%
worden verkregen. Voor minimale schakeltijden dient de IF/IR-verhou-dingzokleinmogelijktewordengehou
den. De hersteltijd in een bepaalde schakeling kan tot op zekere hoogte
^tf<=i
cvoorinstellingFig.l).Meelseltakeliiigvoordeopgeslagenla
ding.
met behulp van dezeverhoudingwor
den beheerst. Is de verhouding zeer groot,danzullenzelfsdesnelste nano-seconde-diodennog 10tot20xlangere hersteltijden teziengeven.
ti
ƒ
O = i . dt
waarin:
i = de impuls-amplitudevande tegen-waartsstroom
t, = deopslagtijd vande minderheids-ladingsdragers
Is Q bekend, dan kan t, worden be
rekend uit:
Hersteltijdalsfunctievantemperatuur Dejuistewijzewaaropdetemperatuur de hersteltijdbeïnvloedtisnognietge
heel en al verklaard. Toenamen van 1%/°Czijn zekermogelijk. Deherstel
tijd is recht evenredig met de levens
duurvande ladingsdragersindediode en deze levensduurneemt toe met de temperatuur. Naar alle waarschijnlijk
heid draagt deze langere levensduur van deladingsdragers hetmeestbijtot langere hersteltijden bij hogere tem
peratuur. Andere factoren die tot de temperatuurafhankelijkheid van de schakeltijd van een diode kunnen bij
dragen zijn de junctie-capaciteit, die eveneenstoeneemtmetdëtemperatuur en de tegenwaartsweerstand die af
neemtmetdetemperatuur.Defluctua
ties in deze waarden liggen inde orde van groottevan 1%/°C.
;
ti = Q«R
Deze t, isuitgezetin fig.8.
Metingvandeopgeslagenlading Voor hetmetenvan deopgeslagenla
ding kan men zich bedienen van een schakeling alsinfig. 9. Demetingvan t, levert hierbij een goede benadering voordehersteltijdvandediode,voor
opgesteld dat detijd dienodigisvoor de recombinatievande minderheidsla-dingsdragers,veelgroterisdande tijd
constantediedoordeeffectievecapaci
teitvandejunctieendeserieweerstand vandemeetschakelingwordtgevormd.
In sommige gevallenzal dezebenade
ringzekeropgaan,maarbijdiodenmet eengrotejunctie-capaciteiteneenklei
ne ladingsopslag kunnen afwijkingen tot 50% optreden. Deze benadering gaatop voorzowelzeersnellealsvoor zeer langzame schakeldioden, maar nietvoordediodendaartussenin.Zoals fig. 10laatzienistleengoedemaatstaf voor de hersteltijd, vooropgesteld dat detijdnodigomdejunctie-capaciteitin de tegenwaartsrichtingop teladen, te verwaarlozen kleinis tenopzichtevan die van de opslagtijd van de minder-heidsladingsdragers. Aan deze voor
waarde kan worden voldaan als de tegenwaarts-hersteltijdcircaééntiende van de levensduurvan de ladingsdra
gersbedraagt.
Ladingsopslag
Een alternatieve methode voor het
'?n
-V Fig. <S\ Diode in voor
waartsgeleiding.
I
(Vervolgblz. 793)RADIOELECTRON1CA1974No.23 787
R. W. Budding